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深圳市高合科技有限公司

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AO3406
产品详情
规格
FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)50 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)5nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)210pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3L
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

 

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